[14a-313-1~12] 12.1 作製・構造制御

[14a-313-12] フレキシブルRFIDタグ応用に向けた低In、Gaドープ塗布型IGZO- TFTの作製と評価

〇周 真平¹、田中 光¹、平山 智章¹、山内 博¹、岡田 悠悟²、酒井 正俊¹、飯塚 正明³、工藤 一浩¹ (1.千葉大院工、2.千葉大先進科学センター、3.千葉大教育)

キーワード：RFIDタグ、IGZO、ウェットプロセス

RFIDタグで構成される変調素子に段差構造縦型トランジスタ(SVC-FET)とループアンテナをフレキシブル基板上に一体化したアクティブアンテナを提案してきた。これまでFET活性層に有機半導体材料を用いたが、十分な変調度が得られず実用化には不十分であった。本研究では、InとGaの低ドープ領域で作製したIGZOトランジスタを評価した結果、および、シミュレーションによりSVC-FETの寄生容量を低減したときの変調率を評価した結果について報告する。