[14a-315-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-315-5] 誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングによるn型GaNへのダメージ評価

〇山田 真嗣^1,2、櫻井 秀樹^1,2、大森 雅登¹、長田 大和²、上村 隆一郎²、堀田 昌宏³、須田 淳^1,3、加地 徹¹ (1.名大　未来材料・システム研究所、2.アルバック半電研、3.京大院工)

キーワード：窒化ガリウム、エッチング

大電流駆動・高耐圧・高速スイッチング特性を有する次世代パワーデバイスとして、GaN縦型パワーデバイスが注目されている。このデバイス構造を実現する上で、トレンチ型ゲート形成や分離メサ形成を担うエッチング技術は、重要な基幹プロセスの一つである。今回、GaN基板上に形成されたテスト構造を用い、GaNエッチングプロセス時のICP-RIEのバイアスパワー依存性を調べることで、電気特性に与える影響を評価した。