[14a-315-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-315-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位

〇堀田 昌宏¹、成田 哲生²、加地 徹³、上杉 勉²、須田 淳¹ (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大)

キーワード：窒化ガリウム、深い準位

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，MOVPE成長ホモエピn-GaNに対して，意図的に点欠陥を導入し，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．先行研究に対してより低エネルギーの電子線を照射することにより，N原子関連の点欠陥を選択的に導入し，形成された深い準位をDLTS法により調べた．先行研究で報告されている準位の一部のみが，本研究において観測され，これらの準位は，N原子変位に関与していることが分かった．