[14a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[14a-502-7] γ-(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶系におけるバンドギャップ制御

〇加藤 勇次¹、大島 孝仁¹、織田 真也²、人羅 俊実²、嘉数 誠¹ (1.佐賀大学、2.株式会社FLOSFIA)

キーワード：Ga₂O₃