[14a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[14a-502-8] ミスト化学気相成長法によるm面サファイア基板上へのα-Ga₂O₃薄膜の作製と構造評価

〇太田 勝也¹、関山 尊仁¹、赤岩 和明¹、阿部 友紀¹、市野 邦男¹ (1.鳥大院工)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD、結晶成長