[14p-213-1~14] 6.4 薄膜新材料

[14p-213-8] SrTiO₃(100)基板上に成長させたPt薄膜の配向性と表面構造

〇葛西 昌弘¹、土肥 英幸¹ (1.九州大水素)

キーワード：触媒、Pt薄膜、エピタキシャル

我々はSrTiO₃基板上にdcマグネトロンスパッタリング法によりPt薄膜を作製し、配向性、表面構造、電気化学特性を調べた。400℃で成長させた膜は、Pt（111）の二次元多結晶の特徴を示した。 600℃および700℃で成長させた膜は、（100）、（111）および（110）の混合配向を示した。 成長温度を750℃に上昇させることにより、フィルムは支配的に（100）の優先配向を示した。 600〜700℃で成長させた膜は、数十nmの粗さのアイランドで構成されていた。 RHEEDによる観察では、アイランドが[010] Pt // [011] SrTiO 3のエピタキシャル関係で成長することが明らかになった。 この関係は、成長温度750℃で[010] Pt // [010] SrTiO 3に変化した。