[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-315-6] m面GaN SBDの漏れ電流のファセット依存性

バリー １オースマネー¹、〇田中 敦之²、永松 謙太郎²、久志本 真希¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大赤崎記念研究センター、4.名大VBL)

キーワード：窒化ガリウム、ショットキーバリアダイオード、m面