[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [14p-315-9] Ni/n-GaN縦型ショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性

〇前田 拓也¹、岡田 政也²、上野 昌紀²、山本 喜之²、木本 恒暢¹、堀田 昌宏¹、須田 淳¹ (1.京大院工、2.住友電工)

キーワード：GaN、ショットキーバリアダイオード、障壁高さ

本研究では，223-573 Kにおいて，Ni/n-GaN縦型ショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性を求めた．容量-電圧測定から求めた障壁高さは温度上昇につれて線形に低下し，その温度係数は-1.8×10^(-4) eV/Kとなった．これは，温度上昇につれてバンドギャップが縮小(伝導帯底が低下)することに起因していると考えられる．なお，順方向電流-電圧測定，内部光電子放出測定によって求めた障壁高さの温度依存性は，それぞれ-2.3×10^(-4) eV/K，-1.7×10^(-4) eV/Kとなった．