[14p-414-1~17] 6.6 プローブ顕微鏡

[14p-414-14] STM走査中におけるGaAs(110)表面上のGa吸着原子の操作と観察

〇加来 滋¹、今宮 健太¹、安藤 達人¹、吉野 淳二¹ (1.東工大院理)

キーワード：STM、原子操作、半導体

STM画像取得中に針の影響で操作される原子の運動を、その画像自身でとらえるScanning mode manipulationを用いて、GaAs(110)表面上に吸着したGa原子の運動を詳しく調べた。Ga原子のHoppingサイトや運動容易方向は、第一原理計算から導いたポテンシャルエネルギーのプロファイルともよく一致した。このほか、温度特性や走査角度特性など、総合的にGa原子の運動について調べたので報告する。