2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-419-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年3月14日(火) 13:30 〜 18:00 419 (419)

福地 厚(北大)、小塚 裕介(東大)

16:15 〜 16:30

[14p-419-10] βパイロクロア型CsW2O6エピタキシャル薄膜の作製と物性

相馬 拓人1、吉松 公平1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

キーワード:金属-絶縁体転移、タングステン酸化物、スピン軌道相互作用

CsW2O6βパイロクロア型構造をとり,200 K付近において特異な金属-絶縁体転移を示すことが最近報告された.W原子あたりの5d電子数は0.5であり,その混合原子価状態やWの原子番号から期待される大きなスピン軌道相互作用の関与が示唆されている.しかし合成の困難さから,単結晶はおろか高密度な多結晶体すら得られていない.今回我々はPLD法により高品質な単結晶薄膜を作製し,本質的な物性の評価を行った.