[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[14p-502-11] Fe源としてトリス(2,4-ペンタンジオナト)鉄(III)を用いたMOCVD法によるFeドープNiO薄膜の作製

〇酒井 駿吾¹、田口 健太朗¹、藤原 一樹¹、石川 博康^1,2 (1.芝浦工大、2.SIT グリーンイノベーション研究センター)

キーワード：NiO、MOCVD、Feドープ

ビス(2,4-ペンタンジオナト)ニッケル(II)水和物、トリス(2,4-ペンタンジオナト)鉄(III)及びO₂ガスを原料とし、有機金属昇華用及び薄膜堆積用の横型管状炉2台を用いたMOCVD装置によりFeドープNiO薄膜を作製した。電気的特性について、Fe/Niモル比0.1%のFeドープNiO試料はアニール前では高抵抗のため測定ができなかったが、アニール後では抵抗率が下がり2.383×10² Ω･cmが得られた。本研究ではFeドープによるNiO薄膜の低抵抗化を試みた結果について報告する。