[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[14p-502-15] ミストCVD法による酸化亜鉛薄膜の低温形成と評価

〇御厨 丈輝¹、小川 寛高¹、城戸 智孝¹、谷田部 然治²、西 康孝³、中積 誠³、岩堀 恒一郎³、奈良 圭³、浪平 隆男⁴、中村 有水^5,6 (1.熊大院自然科学、2.熊大院先導機構、3.株式会社ニコン、4.熊大パルスパワー研、5.熊大院先端科学、6.熊本有機薄膜)

キーワード：酸化亜鉛

透明導電膜(TCO)は様々なデバイスに用いられており、低価格化が求められており、そこで安価な酸化亜鉛(ZnO)が注目されている。本研究では、大気圧で成膜可能なミストCVD法を用いて低温でGaドープZnO薄膜を形成することを目的としている。低温成膜の実現により、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のプラスチックフィルムにZnO膜を形成することが出来きるため、TCOの顕著な低価格化につながると期待される。