[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[14p-502-2] EFG成長したβ-Ga₂O₃結晶中の欠陥評価(1) - (201)基板上のエッチピット列に対応する転位 -

〇上田 修¹、池永 訓昭¹、森林 朋也²、輿 公祥³、飯塚 和幸³、倉又 朗人³、嘉数 誠² (1.金沢工大、2.佐賀大院工、3.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、転位、透過電子顕微鏡法

EFG法により成長した(\overline{2}01) β-Ga₂O₃基板中の転位をエッチングおよびTEMにより評価した結果を報告する。まず、リン酸エッチングにより、[010]方向に沿った列状のピットが観察された。断面TEMにより、ピットに対応して転位が観察された。コントラスト実験から、転位は刃状転位であり、拡張していないことが分かった。これらの結果に基づいて、転位の形成機構についても議論する。