[14p-503-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～発光再結合の解明と制御～

[14p-503-2] AlリッチAlGaN系量子井戸の発光・非発光過程

〇川上 養一¹、市川 修平¹、船戸 充¹ (1.京大院工)

キーワード：AlGaN、発光再結合、非発光再結合

AlリッチAlGaN系量子井戸は，深紫外発光材料として有望である。本研究では時間分解フォトルミネッセンス（TRPL）測定によるAlGaN/AlNの臨界膜厚の精密評価やカソードルミネセンス（CL）マッピングの温度依存性評価によって，転位や点欠陥がAlGaN量子井戸の非輻射過程にどのように関与しているかについて報告し，高い内部量子効率を得るための指針について言及する．