[14p-B6-1~15] 13.10 化合物太陽電池

[14p-B6-10] InGaP/GaAs/Si 3接合セルにおけるBonding界面抵抗評価

〇重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪市大工)

キーワード：多接合太陽電池、表面活性化接合、界面抵抗

III-Vサブセルのベース及びSiサブセルのエミッタに電極を有するInGaP/GaAs/Si n-on-p 3接合セルを作製し、動作中のIII-Vベース及びSiエミッタの電位を測定した。III-Vベース・Siエミッタ間の電位差の3接合セル電流依存性からBonding界面抵抗は89 ohm（~4 ohm cm²）と推定された。