[14p-E205-1~14] 13.7 ナノ構造・量子現象

[14p-E205-11] アルミニウムの磁場印加陽極酸化

〇久島 裕資¹、木村 潤¹、森下 義隆¹ (1.東京農工大 工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、磁場応用、ポーラスアルミナ

陽極酸化ポーラスアルミナは抵抗変化動作を示す酸化物層として注目されている。本研究では、ポーラス層の構造制御を目的とし、磁場印加陽極酸化を行い、細孔形成が磁場の作用により抑制されることを示す。