[14p-F201-1~14] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[14p-F201-9] n型Si基板へボロンイオン注入したp/n接合のDLTS測定

〇脇本 博樹¹、中澤 治雄¹、松本 俊²、鍋谷 暢一² (1.富士電機、2.山梨大工)

キーワード：pinダイオード、漏れ電流、アレニウスプロット

高比抵抗n型Si基板へボロンをイオン注入して活性化したpinダイオードに関し、p層の活性化の手法により漏れ電流に大きな差があることが判明した。p+/n-接合近傍のトラップ準位密度が影響していると考えられるため、DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)により、どのような準位が形成されているか調査した結果に関して報告する。