[15a-315-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-315-4] MBE成長InNのキャリア濃度と電子移動度の温度依存性

〇(PC)児玉 和樹¹、Jan Kuzmik²、Alexandros Georgakilas³、葛原 正明¹ (1.福井大学、2.Slovak Academy of Sciences、3.Crete Univ.)

キーワード：InN、ホール効果測定、温度依存性

InNは、GaNに比べて小さい電子の有効質量と高い電子速度を有するために、高周波・高速デバイスとしての応用が期待されている。実際に、MBEあるいはMOCVD法によって成長させたInNにおいて、GaNより高いホール電子移動度が得られている。しかしながら、移動度の温度依存性に関する報告は少ない。本研究では、ホール効果を用いたキャリア濃度と移動度の温度依存性を測定することにより2つの浅いドナー準位が存在する可能性を見出した。また、測定結果を解析することにより、移動度における支配的な散乱機構が転位散乱であることが分かった。