[15a-315-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [15a-315-6] 縦型GaN MPSダイオードの開発

〇林田 哲郎¹、南條 拓真¹、古川 彰彦¹、山向 幹雄¹ (1.三菱電機)

キーワード：窒化ガリウム、ショットキー・バリア・ダイオード