2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[15a-411-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

2017年3月15日(水) 09:15 〜 11:45 411 (411)

児島 貴徳(阪大)

09:45 〜 10:00

[15a-411-3] CuInS2量子ドットの表面修飾による発光特性と光励起電子のダイナミクスの変化

〇(M2)出石 拓也1、張 耀紅1、中澤 直樹1、豊田 太郎1,5、早瀬 修二2,5、片山 建二3、峯元 高志4,5、沈 青1,5 (1.電通大先進理工、2.九工大生命体工、3.中大理工、4.立命館大理工、5.JST CREST)

キーワード:CuInS2、量子ドット、光励起キャリア緩和のダイナミクス

CuInS2量子ドット(CIS-QD)は粒径の変化により光吸収領域を変化できること、バルク状態よりも光吸収係数が高いといった特徴から太陽電池に応用されている。CIS-QDには配位子置換の容易なオレイン酸亜鉛を有機配位子として用いている例がある。本研究では、オレイン酸亜鉛で修飾したCIS-QDを作製し、表面修飾効果を評価した。また、スピンコート法で配位子置換した試料を作り、配位子長の影響性を光励起電子の緩和過程から評価した。