[15a-416-1~10] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[15a-416-1] 有機p-nへテロ接合を用いた負性抵抗トランジスタの動作原理の解明

〇(DC)小橋 和義^1,2、早川 竜馬¹、知京 豊裕¹、若山 裕^1,2 (1.物材機構、2.九大院)

キーワード：有機ヘテロ接合、負性抵抗

従来のIII-V族半導体や二次元薄膜を用いた既存の負性抵抗素子では、低温でしか明瞭な負性抵抗は観測ざれず、室温でのPVR (peak-to-valley ratio) は30以下に低下してしまう。この問題を解決するために我々は有機分子のp-n接合を利用した新しい負性抵抗トランジスタを提案した。その結果、10⁴を超えるPVRを室温において実現した。そこで今回の発表では負性抵抗の起源について検討したので報告する。