[15a-421-1~12] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[15a-421-1] Atom Probe Tomographyによる不純物ドープシリコンナノ結晶の構造評価

〇杉本 泰¹、野元 恵太²、Simon P. Ringer³、Gavin Conibeer²、藤井 稔¹ (1.神戸大工、2.ニューサウスウェールズ大、3.シドニー大)

キーワード：シリコン、ドーピング、量子ドット

半導体の基盤材料であるシリコンナノ構造への不純物ドーピングによる電気的・光学的特性の制御に関する研究が活発に行われているが、数ナノメートルのシリコン（Si）結晶では自己浄化作用の影響が顕著になり、ドーピング効果の実験的研究は限定的である。本研究では、3次元アトムプローブ法により、不純物ドープSiナノ結晶中のリン及びホウ素の原子スケールでの分布を明らかにする[