[15a-423-1~9] CS.4 7. コードシェアセッション：ビーム応用大分類

[15a-423-9] ナノトレンチへの埋め込みによる可溶性導電性高分子ナノワイヤの作製と評価

〇(M2)畔柳 志帆¹、宮崎 孝道²、Heo Shinae³、杉安 和憲³、中川 勝¹、若山 裕³ (1.東北大多元研、2.東北大工学部、3.物材機構)

キーワード：光ナノインプリントリソグラフィ、poly(3-hexylthiophene)、導電性原子間力顕微鏡

本研究では、ナノトレンチを鋳型に用いて作製したrr-poly(3-hexylthiophene) (rr-P3HT)のナノワイヤ本来の物性を評価することを目的とした。トレンチ幅60－100 nmのナノトレンチ上に、ハロゲン非含有溶媒で製膜したP3HTのスピンコート膜を、溶媒で膨潤させたシリコーン製のスキージで所定の回数擦ることで過剰のP3HTを除去し、トレンチ内にP3HTを導入した。ナノトレンチ内のP3HTの形状ならびに導電性を評価したところ、独立したP3HTナノワイヤの形成が確認された。