[15a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-502-12] 低温スパッタによる低抵抗ITO膜の開発(2)

〇大野 幸亮¹、小林 大士¹、高橋 明久¹、新井 真¹、石橋 暁¹ (1.株式会社アルバック)

キーワード：透明導電酸化物、酸化インジウムスズ、低温スパッタ

近年、スマートフォンなどに使用されているタッチセンサー(透明導電膜)ではデバイス構造の変化に伴い、低温プロセスで低抵抗にすることが重要なキーテクノロジーとなってきている。本報告では、成膜時の基板温度を室温以下にすることにより100℃以下のアニール処理で電気特性が改善することに成功しており、本技術の実用化に向けた試みに関して報告する。