講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年3月15日(水) 09:00 〜 12:15 503 (503)

赤坂哲也(NTT)、齋藤義樹(豊田合成)

09:30 〜 09:45

[15a-503-3] m面AlN 基板上に成長したAlGaN のSiドーピングによる格子緩和抑制

〇西中淳一¹、谷保芳孝¹、熊倉一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：AlGaN、無極性面、格子緩和