[15a-F206-1~8] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [15a-F206-7] 分子動力学法を用いたGeSnおよびSiSn混晶内のフォノン物性予測と評価

〇(PC)富田 基裕^1,2,3、小椋 厚志²、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.明大理工、3.学振PD)

キーワード：SiSn、分子動力学、フォノン分散

本研究ではGeSnおよびSiSn混晶用原子間ポテンシャルを作成し、分子動力学(MD)法を用いてGeSnおよびSiSn混晶のフォノン振動の再現と予測を行った。フォノン分散については全ての計算結果でフォノンのブロードニングが見られたが、組成によってその程度が異なっていた。SiSnにいたってはTAフォノン分枝のスプリットを確認した。この影響は熱輸送にも現れるため、ポテンシャルや原子量の差が重要である。