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[15a-P6-13] STMにおけるdI/dV像の簡易モデルによるSN比評価
キーワード:走査トンネル顕微鏡、SN比、dI/dV
走査トンネル顕微鏡(STM)を利用して試料の局所状態密度(LDOS)を計測する際,バイアス電圧に変調電圧を重畳し,ロックインの手法を用いることが多い.ただし探針-試料間に浮遊容量があり,ロックインアンプの出力にはこの影響が重畳される.本研究では検出系の探針-試料を抵抗RS,浮遊容量Csで置き換えた簡単なモデル系として扱い,検出信号のSN比を議論する.また<em style="font-size:16px">Csを通して流れる電流をキャンセルする簡便な手法を提案する.