[15a-P7-1~21] 11 超伝導（ポスター）

[15a-P7-6] 母材粉砕法によるBi系高温超伝導ウィスカーの高速育成と成長機構検討

〇田中 博美¹、山本 紗矢香¹、松本 凌²、高野 義彦²、武藤 浩行³ (1.米子高専、2.物材機構、3.豊橋技科大)

キーワード：高温超伝導体

Bi系超伝導ウィスカーは作製効率が悪く大型のものが得られにくいという問題がある。そこで我々は近年、Bi系超伝導ウィスカーの作製効率を改善するための検討を行ってきた。具体的には、母材であるガラス急冷体を粉砕し、育成雰囲気中の原料蒸気圧を高める手法を導入した。この“母材粉砕法”を用いると成長速度が従来法(ASGQP法)と比べて大幅に改善する。しかしながら、その成長機構については不明な点が多い。
そこで本研究では、母材粉砕法によるBi系超伝導ウィスカー育成の更なる高効率化を目指して、育成機構に関する諸検討を行った。
その結果、母材粉砕法で育成した母材の曲率は、従来法であるASGQP法に比べて増加傾向を示し、Bi系超伝導ウィスカーの最大結晶サイズも改善された。
母材粉砕法によるBi系高温超伝導ウィスカー成長の駆動力は、残留応力も関係していることが示唆された。