[15a-P9-1~4] 13.7 ナノ構造・量子現象

[15a-P9-3] 同一基板上GaAs/AlGaAs量子井戸におけるキャリア緩和時間の井戸幅依存性

〇山田 築¹、亀崎 拓也¹、大木 俊介¹、石川 友樹¹、下村 哲²、竹内 淳¹ (1.早大先進理工、2.愛媛大理工)

キーワード：GaAs、キャリア緩和時間、井戸幅依存性

分子線エピタキシー法により成長されたGaAs/AlGaAs量子構造は、様々な光学デバイスに利用されている。本研究では、同一のGaAs (100)基板上に井戸幅の異なるGaAs/AlGaAs単一量子井戸を成長し、そのそれぞれのフォトルミネッセンスを時間分解測定することで、キャリア緩和時間の井戸幅依存性を調べた。