[15p-211-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [15p-211-1] SMART法を用いた太陽電池用擬似単結晶Siの不純物制御

〇(M1)羽山 優介¹、高橋 勲¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工)

キーワード：不純物、転位、欠陥

擬似単結晶Siは、多結晶および単結晶Siの利点を併せ持つ太陽電池用材料として期待されているが、その成長法には転位発生、多結晶化、不純物拡散といった課題が存在する。そこで、我々は新たな成長法としてSMART法を提案している。この方法はインゴットに人工的な欠陥層を発生させ従来法のすべての課題を解決することを狙っている。本研究では、SMART法を用いてインゴットを作製し、その後の熱処理による結晶品質の変化について調査した。