[15p-211-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

[15p-211-4] IT-DLTS法を用いたmc-Si中Ni関連準位の電界印加による消滅機構の研究

〇宮部 佑太¹、山下 善文¹、西川 亘¹、羽田 真毅¹、林 靖彦¹ (1.岡山大院自然)

キーワード：多結晶シリコン、DLTS法

我々の研究室では今までDLTS法により，粒界上の不純物関連トラップ準位の評価を行ってきた。Ni関連準位のDLTS信号は，Cuと同様に，DLTS測定の逆バイアス印加により260K程度以上で消滅し，0バイアスアニールで回復する。そこで，消滅温度以下でNi準位を検出できるIsothermal DLTS法を用い，消滅時の逆バイアスの大きさを変えた場合の回復過程の違いを調べる実験を行った。これにより逆バイアス下での準位消滅機構についての知見が得られた。