[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-315-7] リモートプラズマ支援 CVD SiO₂/GaN の界面特性

〇グェン スァン チュン^1,2、田岡 紀之²、大田 晃生¹、山本 泰史^1,2、山田 永²、高橋 言緒²、池田 弥央¹、牧原 克典¹、清水 三聡²、宮崎 誠一¹ (1.名大院工、2.産総研 GaN-OIL)

キーワード：SiO2/GaN 界面、リモートプラズマCVD