17:00 〜 17:15
[15p-412-14] グラファイト状窒化炭素薄膜の合成温度と光学ギャップ
キーワード:g-C3N4、半導体薄膜
グラファイト状窒化炭素(g-C3N4)は約2.7 eVのバンドギャップを持つ半導体になる。我々はグアニジン炭酸塩を原料とし蒸着法でg-C3N4薄膜を合成した、原料と基板温度の差を50℃として原料の温度を600℃から650℃に上げると光学ギャップが低くなる結果が得られた。
一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜
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キーワード:g-C3N4、半導体薄膜