2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[15p-422-1~16] 3.13 半導体光デバイス

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

2017年3月15日(水) 13:15 〜 17:45 422 (422)

丸山 武男(金沢大)、西山 伸彦(東工大)

14:00 〜 14:15

[15p-422-3] 面発光レーザ高出力化のための長尺半導体光増幅器

許 在旭1、志村 京亮1、顧 暁冬1、中濵 正統1、松谷 晃宏2、小山 二三夫1 (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

キーワード:面発光レーザ、半導体光増幅器

面発光レーザ(VCSEL)は小型で高ビーム品質といった特徴を有し可搬式レーザ加工機などへの応用の可能性がある.しかしVCSELの単一モード出力は数mW程度にとどまっている.我々は高出力化のためにVCSELとブラッグ反射鏡導波路による半導体光増幅器(SOA)との集積構造を提案した. SOAは長尺化することで更なる高出力化が期待できるが,増幅自然放出光(ASE)によってSOA長が制限される.今回はASEを抑圧するウェハ設計と作製したデバイスについて報告する.