[15p-501-1~19] CS.6 10.1,10.2,10.3,10.4コードシェアセッション「新規スピン操作方法および関連現象」

[15p-501-4] 高精度X線磁気円二色性分光による外部電圧下におけるFe超薄膜の磁気モーメントの評価

〇塚原 拓也¹、河辺 健志¹、下瀬 弘輝¹、古田 大志¹、宮風 里紗¹、縄岡 孝平¹、後藤 穣^1,4、野崎 隆行²、湯浅 新治²、小谷 佳範³、豊木 研太郎³、鈴木 基寛³、中村 哲也³、鈴木 義茂^1,4、三輪 真嗣^1,4 (1.阪大院基、2.AIST、3.JASRI、4.阪大CSRN)

キーワード：X線磁気円二色性、磁気異方性

強磁性薄膜に外部電界を加えると磁気異方性が変化する。磁気異方性変化の原理として、電圧誘起の酸化還元反応が主要因であるとされている。一方で熱活性過程を経る酸化還元反応ではナノ秒以下で起こるFe/MgO系の電圧誘起磁気異方性変化を説明できない。昨年我々はFe/MgOに約0.5 V/nmの外部電界を印加しても目立った酸化還元反応は生じないことを報告した。しかし、非常に小さな酸化還元反応が起きている可能性は未だ否定できていない。そこで本研究では電圧効果の測定に必須の部分蛍光収量法によるXMCDの測定精度を40倍高め、0.5nmの厚さのFe薄膜における外部電界効果を再度評価したのでこれを報告する