[15p-F204-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-F204-17] NbNiシリサイドを導入した4H-SiC pMOSFETsの研究

〇(M1)梶原 純¹、黒木 伸一郎¹、石川 誠治^1,2、前田 知徳^1,2、瀬崎 洋^1,2、吉川 公麿¹、牧野 高紘³、大島 武³、Östling Mikael⁴、Zetterling Carl-Mikael⁴ (1.広大ナノデバイス、2.フェニテック、3.量研機構、4.スウェーデン王立工大)

キーワード：SiC、MOSFET

SiC半導体はバンドギャップが広いという特性から、高温・高放射線などの極限環境でも駆動可能なデバイスとして期待されている。本研究グループでは4H-SiCによるnMOSFETの作製を行い、その動作および高温および高ガンマ線照射後での動作を示した。本研究ではNb/NiシリサイドS/DおよびAlゲート電極を用いた4H-SiC pMOSFETを作製し、その動作評価を行ったので報告する。