[15p-F204-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-F204-19] 4H-SiC m面のN₂アニールによる構造変化

〇塩路 淳¹、ビシコフスキー アントン¹、梶原 隆司¹、田中 悟¹ (1.九大院工)

キーワード：表面構造

SiC-MOSFETにおいて、SiO₂/4H-SiC(1-100)界面の窒化により飛躍的な性能向上の可能性がある。そこで、我々は市販m面(1-100)SiC基板にN₂アニールを行い、AFM、LEED、XPSを用いて表面構造を調べた。LEEDでは、実空間1次元構造に対応しているストリークが観察され、XPSでは、N1s軌道においてN-Si結合を示すピークが観察された。即ち、N₂アニール後の表面では、窒素原子がSi原子と結合し、[0001]方向に1次元構造を形成していることが考えられる。