[15p-F204-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-F204-3] 走査電子顕微鏡プローブビームによる電子線照射下での4H-SiC中の部分転位運動

中田 龍¹、〇山下 善文¹、西川 亘¹、羽田 真毅¹、林 靖彦¹ (1.岡山大院自然)

キーワード：4H-SiC、部分転位運動、SEMによる電子線照射

走査電子顕微鏡プローブビームによる電子線照射下での4H-SiC中ショックレー型積層欠陥（SSF）の拡大現象を，SSFのSEM像を記録しながら観察し，SSFの縁を形成する30°Si部分転位（PD）の運動を調べた。電子線の走査条件（回数，速度，倍率，方向，領域）を変えて得られたSSF像から，PDの移動距離はPDを電子線が照射している合計時間に比例することが確認された。さらに，1 frameの2次元走査電子線照射中に起こっているPDの運動について考察した。