2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

22 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」 » 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[15p-F206-1~14] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2017年3月15日(水) 13:45 〜 18:00 F206 (F206)

中村 芳明(阪大)、山本 貴博(東理大)、山口 浩司(NTT物性研)

17:30 〜 17:45

[15p-F206-13] 層状構造を持つIn2O3(ZnO)m薄膜の熱伝導率

賈 軍軍1、山下 雄一郎2、八木 貴志2、竹歳 尚之2、重里 有三1 (1.青山学院大、2.産総研)

キーワード:ホモロガスIn2O3(ZnO)m薄膜、薄膜熱電材料、層状材料

ホモロガスIn2O3(ZnO)mは超格子層状構造を持っており、高温で化学的に安定性を持つため高温熱電材料として注目されている。本研究では、ホモロガスIn2O3(ZnO)m薄膜における熱伝導機構の解明を目的とした。In2O3(ZnO)m薄膜においてInO2層間のIn-Zn-O層数が増加するにつれ、熱伝導率は小さくなったことが確認された。また、ホモロガス構造を持つIn2O3(ZnO)m薄膜の熱伝導率はアモルファスIn2O3-ZnO薄膜 (In:Zn=5:1 in at.%) の熱伝導率の約半分程度であった。これはホモロガス構造ではフォノンの熱伝導への寄与が小さいためだと考えられる。