[15p-F206-1~14] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[15p-F206-9] MnSi_1.7とSiGeの複合構造薄膜における熱伝導率のGe量依存性

〇黒崎 洋輔¹、籔内 真¹、西出 聡悟¹、早川 純¹ (1.日立研開)

キーワード：熱伝導率、マンガンシリサイド

有望な熱電変換材料の一つであるMnSi_1.7の熱伝導率を低減することを目的に、SiGeとのナノ複合構造化による熱伝導率低減を試みた。作製した複合構造薄膜の構造解析により、Geは母材料のMnSi_1.7ではなく添加材料であるSiに添加されることを明らかにした。Ge量を増加させると薄膜の熱伝導率は、ナノスケールのフォノン散乱と音速の低下によりMnSi_1.7系で最小である0.8W/Kmまで低下した。