[15p-P15-1~17] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-P15-8] 1Xnm TLC NAND型フラッシュメモリにおける読み出しディスターブエラー向け誤り訂正符号

〇出口 慶明¹、竹内 健¹ (1.中大理工)

キーワード：NAND型フラッシュメモリ、読み出しディスターブエラー、誤り訂正符号

近年、NAND型フラッシュメモリでは多値化や微細化によってコストが削減されているが、同時に信頼性低下が問題となっている。特に、SNSや人工知能などの普及とともに読み出し頻度の多い用途が増加し、読み出しディスターブエラーによる信頼性低下が顕著になっている。そのため本論文では、読み出しディスターブエラーを訂正するRead-Disturb Modeled LDPC (RDM-LDPC)を提案する。