[15p-P8-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-P8-1] DLTS法を用いたSiパワーデバイスのプロトン照射欠陥の評価

〇清井 明¹、湊 忠玄¹、多留谷 政良¹ (1.三菱電機)

キーワード：半導体、シリコン、点欠陥