[15p-P8-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-P8-3] 応力印加Ge単結晶中におけるドーパント近傍の点欠陥形成に関する第一原理解析(2)

〇山岡 俊太¹、小林 弘治¹、末岡 浩治² (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工)

キーワード：Ge結晶、点欠陥、第一原理計算