[16a-213-1~7] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[16a-213-6] ­第一原理分子動力学法による超格子GeTe/Sb₂Te₃におけるGeTe層の
非晶質-結晶間の相変化過程の解析

〇(DC)白川 裕規^1,3、洗平 昌晃^1,2,3、白石 賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.JST-CREST)

キーワード：相変化メモリ、GeTe/Sb2Te3、第一原理計算

ストレージクラスメモリの有望な候補に超格子GeTe/Sb₂Te₃を用いた相変化メモリ(iPCRAM)がある。本研究では非晶質GeTe層を持つGeTe/ Sb₂Te₃を第一原理分子動力学計算を用いて1000Kから速い速度（85K/ピコ秒）と遅い速度(2.78 K/ピコ秒)で冷却し、両者の比較を行った。その結果、遅い速度で冷却した場合、GeTe層が結晶化することが分かった。