[16a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-502-5] シリコン添加によるZnON-TFTの経時劣化抑制

〇辻 博史¹、武井 達哉¹、中田 充¹、宮川 幹司¹、藤崎 好英¹、山本 敏裕¹ (1.NHK技研)

キーワード：薄膜トランジスタ、ZnON