[16a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [16a-503-12] SiCとAlN/GaN短周期超格子によるパワーデバイスの理論的提案

〇小嶋 英嗣¹、長川 健太¹、白川 裕規¹、洗平 昌晃^1,2、海老原 康裕³、金村 高司³、恩田 正一^2,3、白石 賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.株式会社デンソー)

キーワード：パワーデバイス、炭化ケイ素、窒化ガリウム

我々は本研究において、SiCとAl_xGa_1-xNを組み合わせることで、SiC、Al_xGa_1-xN個々のMOSFETよりも優れた性能を発揮する縦型ハイブリッドパワーデバイスを考えた。このデバイス実現の必要条件の１つとして、SiC/Al_xGa_1-xN界面のコンダクションバンドオフセットをゼロに近づける必要がある。そして我々は、第一原理計算によりSiC/Al_xGa_1-xN界面のコンダクションバンドオフセットを計算することで、SiC/Al_0.75Ga_0.25N界面とすることが、将来の縦型パワーデバイス実現において有望であるということを見出した。