2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-B5-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:00 B5 (B5)

鵜殿 治彦(茨城大)、立岡 浩一(静岡大)

11:15 〜 11:30

[16a-B5-9] Siヘテロ接合太陽電池応用に向けたp型BaSi2の作製技術開発

高橋 一真1、中川 慶彦1、原 康祐2、黒川 康良1、宇佐美 徳隆1 (1.名大院工、2.山梨大学クリスタル研)

キーワード:真空蒸着法、ヘテロ接合、太陽電池

ドーパントの偏析やクラック発生といった問題により、ノンドープでn型を示すBaSi2のp型化は困難とされてきた。しかし、本研究はBドープ水素化アモルファスSi上に、BaSi2を真空蒸着法により堆積し、BaSi2を堆積する際の基板温度の最適化を行うことで、高キャリア密度を持つp型BaSi2薄膜の作製に成功した。この手法の開発はをp型BaSi2用いた高効率ヘテロ接合型太陽電池や、超高効率Si系タンデム太陽電池の実現を前進させた。