[16a-F201-1~12] 13.10 化合物太陽電池

[16a-F201-6] Cu(In,Ga)Se₂ 表面Cu 欠損層制御によるCu(In,Ga)Se₂ 太陽電池高効率化

〇(DC)西村 昂人¹、土岐 爽真¹、杉浦 大樹²、中田 和吉²、山田 明² (1.東工大院理工、2.東工大工学院)

キーワード：太陽電池、カルコパイライト、同時蒸着

最近、Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)太陽電池におけるn型バッファ層/CIGSヘテロ界面の制御手法として、一般的なCIGS薄膜作製法である「三段階法」を改良、第2段階目直後にSeのみを照射するインターバル時間(t_Se)を設けることにより、積極的にCu欠損層を導入する新規アプローチを提案した。この結果、t_Se = 5 minで最高効率が得られ、これを超えると効率は減少傾向にあることが明らかとなった。今回、t_Seを設けた場合のCIGS太陽電池における詳細な評価結果を報告する。