[16a-F203-1~11] 17.3 層状物質

[16a-F203-1] 原子層半導体/強相関酸化物ヘテロ構造の創製と電気特性評価

〇山本 真人¹、神吉 輝夫¹、服部 梓¹、野内 亮²、上野 啓司³、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.阪府大N2RC、3.埼玉大院理工)

キーワード：原子層半導体、強相関酸化物

本研究では、340 K付近で金属－絶縁体相転移を示す強相関酸化物VO₂と、原子層半導体であるMoS₂およびWSe₂とのヘテロ界面を介した電気伝導特性を調べた。VO₂-WSe₂接合においては、VO₂の相転移に伴い整流性が大きく変化するものの、VO₂-MoS₂接合では整流性は観察されなかった。この結果は強相関酸化物と適切な原子層半導体とを組み合わせることで、整流性を有する強相関デバイスを作製できることを示している。