[16a-F203-1~11] 17.3 層状物質

[16a-F203-3] HfS₂系トンネルトランジスタのデバイスシミュレーション

〇金澤 徹¹、雨宮 智宏¹、祢津 誠晃¹、Upadhyaya Vikrant¹、福田 浩一^2,1、宮本 恭幸¹ (1.東工大、2.産総研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、トンネルトランジスタ、TCADシミュレーション

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)の一つであるHfS₂は他のTMDC材料と禁制帯の重なりが小さいType-II型ヘテロ接合を形成可能であり、層状物質を用いたトンネルトランジスタ(TFET)において高オン電流の動作に適している。今回、TCADシミュレーションによりHfS₂系ヘテロ接合を用いたTFETの電流特性を検討した。急峻なサブスレッショルドスロープが期待されると共にWS₂/HfS₂の積層構造において優れたオン電流が見込まれるという結果が得られた。